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文献
J-GLOBAL ID：201702283330022996
整理番号：17A0742678
ゲート長が1nmのMoS2トランジスタ
MoS2 transistors with 1-nanometer gate lengths
DESAI Sujay B.
(Univ. California, CA, USA)
,
DESAI Sujay B.
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
MADHVAPATHY Surabhi R.
(Univ. California, CA, USA)
,
MADHVAPATHY Surabhi R.
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
SACHID Angada B.
(Univ. California, CA, USA)
,
SACHID Angada B.
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
LLINAS Juan Pablo
(Univ. California, CA, USA)
,
LLINAS Juan Pablo
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
WANG Qingxiao
(Univ. Texas at Dallas, TX, USA)
,
AHN Geun Ho
(Univ. California, CA, USA)
,
AHN Geun Ho
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
PITNER Gregory
(Stanford Univ., CA, USA)
,
KIM Moon J.
(Univ. Texas at Dallas, TX, USA)
,
BOKOR Jeffrey
(Univ. California, CA, USA)
,
BOKOR Jeffrey
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
HU Chenming
(Univ. California, CA, USA)
,
WONG H.-S. Philip
(Stanford Univ., CA, USA)
,
JAVEY Ali
(Univ. California, CA, USA)
,
JAVEY Ali
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
資料名：
Science
(Science)
巻： 354 号： 6308 ページ： 99-102 発行年： 2016年10月07日
JST資料番号： E0078A ISSN： 0036-8075 CODEN： SCIEA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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