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文献
J-GLOBAL ID：201702283368389753
整理番号：17A0701038
高性能溶液処理電界効果トランジスタのための広く適用可能なN-ドーピング戦略の系統的研究【Powered by NICT】
Systematic Study of Widely Applicable N-Doping Strategy for High-Performance Solution-Processed Field-Effect Transistors
Kim Jihong
(School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea)
,
Khim Dongyoon
(Department of Physics, Imperial College London, South Kensington Campus, London, SW7 2AZ, UK)
,
Baeg Kang-Jun
(Department of Graphic Arts Information Engineering, Pukyong National University, 365 Shinseon-ro, Nam-gu, Busan, 48547, Republic of Korea)
,
Park Won-Tae
(Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 30 Pildong-ro 1-gil, Jung-gu, Seoul, 04620, Republic of Korea)
,
Lee Seung-Hoon
(School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea)
,
Kang Minji
(School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea)
,
Noh Yong-Young
(Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 30 Pildong-ro 1-gil, Jung-gu, Seoul, 04620, Republic of Korea)
,
Kim Dong-Yu
(School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 26 号： 43 ページ： 7886-7894 発行年： 2016年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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