前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702283392189389
整理番号：17A0151797
HfO2に基づく1T-1R抵抗ランダムアクセスメモリ素子の伝導機構とスイッチングパラメータに及ぼす温度の影響
Impact of temperature on conduction mechanisms and switching parameters in HfO2-based 1T-1R resistive random access memories devices
Perez Eduardo
(IHP GmbH/Leibniz-Institut fuer Innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Wenger Christian
(IHP GmbH/Leibniz-Institut fuer Innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Grossi Alessandro
(Dip. di Ingegneria, Universita degli Studi di Ferrara, Via G. Saragat 1, 44122 Ferrara, Italy)
,
Zambelli Cristian
(Dip. di Ingegneria, Universita degli Studi di Ferrara, Via G. Saragat 1, 44122 Ferrara, Italy)
,
Olivo Piero
(Dip. di Ingegneria, Universita degli Studi di Ferrara, Via G. Saragat 1, 44122 Ferrara, Italy)
,
Roelofs Robin
(ASM, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35 号： 1 ページ： 01A103-01A103-5 発行年： 2017年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。