文献
J-GLOBAL ID:201702283598560855
整理番号:17A0937654
第一原理研究からの単層βBiSbにおける歪誘起量子スピンH all絶縁体【Powered by NICT】
Strain induced quantum spin Hall insulator in monolayer β-BiSb from first-principles study
著者 (8件):
Yu Weiyang
(School of Physics and Electronic Information Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo, 454000, China)
,
Niu Chun-Yao
,
Zhu Zhili
,
Cai Xiaolin
,
Zhang Liwei
,
Bai Shouyan
,
Zhao Ruiqi
,
Jia Yu
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
44
ページ:
27816-27822
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)