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文献
J-GLOBAL ID：201702283600036086
整理番号：17A0214277
異常熱安定性をドープしたGa Sb Geを用いた128Mb相変化メモリチップの信頼性研究【Powered by NICT】
Reliability study of a 128Mb phase change memory chip implemented with doped Ga-Sb-Ge with extraordinary thermal stability
Chien W. C.
(Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan)
,
Cheng H. Y.
(Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan)
,
BrightSky M.
(IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Ray A.
(IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Yeh C. W.
(Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan)
,
Kim W.
(IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Bruce R.
(IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Zhu Y.
(IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Ho H. Y.
(Macronix International Co., Ltd., Product Design and Engineering Center, Hsinchu, Taiwan)
,
Lung H. L.
(Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan)
,
Lam C.
(IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 21.1.1-21.1.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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