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文献
J-GLOBAL ID：201702283611726079
整理番号：17A0482549
ゲート付きp+-i-n+シリコン超薄トランジスタについての負性微分相互コンダクタンス効果の系統的な変調
Systematic modulation of negative-differential transconductance effects for gated p+-i-n+ silicon ultra-thin body transistor
Kim Changmin
(Department of Semiconductor Science, Dongguk University-Seoul, Seoul 04623, South Korea)
,
Lee Youngmin
(Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University-Seoul, Seoul 04623, South Korea)
,
Lee Sejoon
(Department of Semiconductor Science, Dongguk University-Seoul, Seoul 04623, South Korea)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 12 ページ： 124504-124504-4 発行年： 2017年03月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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