文献
J-GLOBAL ID:201702283831276470
整理番号:17A1952143
バンド整列におよぼすc-Si/a-SiO2界面の原子レベルの構造の影響:ab initio研究【Powered by NICT】
Effects of the c-Si/a-SiO2 interfacial atomic structure on its band alignment: an ab initio study
著者 (3件):
Zheng Fan
(Joint Center for Artificial Photosynthesis and Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA. lwwang@lbl.gov)
,
Pham Hieu H.
,
Wang Lin-Wang
資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻:
19
号:
48
ページ:
32617-32625
発行年:
2017年
JST資料番号:
A0271C
ISSN:
1463-9076
CODEN:
PPCPFQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)