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J-GLOBAL ID:201702283831276470   整理番号:17A1952143

バンド整列におよぼすc-Si/a-SiO2界面の原子レベルの構造の影響:ab initio研究【Powered by NICT】

Effects of the c-Si/a-SiO2 interfacial atomic structure on its band alignment: an ab initio study
著者 (3件):
Zheng Fan
(Joint Center for Artificial Photosynthesis and Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA. lwwang@lbl.gov)
Pham Hieu H.
Wang Lin-Wang

資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)

巻: 19  号: 48  ページ: 32617-32625  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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