文献
J-GLOBAL ID:201702283898366855
整理番号:17A0026054
SiCトレンチエッチダブルイオン注入MOS(TED MOS)のチャネル特性
Channel Properties of SiC Trench-Etched Double-Implanted MOS (TED MOS)
著者 (4件):
Tega Naoki
(Center for Technology Innovation-Electronics, Hitachi Ltd., Kokubunji, Japan)
,
Hisamoto Digh
(Center for Technology Innovation-Electronics, Hitachi Ltd., Kokubunji, Japan)
,
Shima Akio
(Center for Technology Innovation-Electronics, Hitachi Ltd., Kokubunji, Japan)
,
Shimamoto Yasuhiro
(Center for Technology Innovation-Electronics, Hitachi Ltd., Kokubunji, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
63
号:
9
ページ:
3439-3444
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)