文献
J-GLOBAL ID:201702283953821426
整理番号:17A0504497
高速光検出器のためのp型ZnTe NW/In Schottkyダイオードの制作
Fabrication of p-type ZnTe NW/In Schottky diodes for high-speed photodetectors
著者 (6件):
CHANG Yuan
(Zhengzhou Univ., Henan, CHN)
,
WU Di
(Zhengzhou Univ., Henan, CHN)
,
XU Tingting
(Zhengzhou Univ., Henan, CHN)
,
SHI Zhifeng
(Zhengzhou Univ., Henan, CHN)
,
TIAN Yongtao
(Zhengzhou Univ., Henan, CHN)
,
LI Xinjian
(Zhengzhou Univ., Henan, CHN)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
2
ページ:
1720-1725
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)