文献
J-GLOBAL ID:201702284240585727
整理番号:17A0057831
65nmバルクと薄膜BOX FDSOIプロセスにおけるプラズマ誘起損傷と負バイアス温度不安定性の間の相関【Powered by NICT】
Correlations between plasma induced damage and negative bias temperature instability in 65 nm bulk and thin-BOX FDSOI processes
著者 (2件):
Kishida Ryo
(Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)
,
Kobayashi Kazutoshi
(Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
S3S
ページ:
1-3
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)