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文献
J-GLOBAL ID：201702284248536444
整理番号：17A0214368
HfO_2/a Si_3N_4/SiGe,a HfO_2/SiO_0 8N_0 8/SiGeおよびHfO_2/a SiO/SiGe界面の密度汎関数理論シミュレーションと実験的測定【Powered by NICT】
Density functional theory simulations and experimental measurements of a-HfO2/a-Si3N4/SiGe, a-HfO2/SiO0.8N0.8/SiGe and a-HfO2/a-SiO/SiGe interfaces
Chagarov E.
(University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA)
,
Sardashti K.
(University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA)
,
Edmonds M.
(University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA)
,
Clemons M.
(University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA)
,
Kummel A.
(University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 36.4.1-36.4.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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