前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702284390823829
整理番号：17A0400546
重イオン放射線への曝露後の商用既製algan/GaN HEMT素子の信頼性研究【Powered by NICT】
Commercial-off-the-shelf algan/gan hemt device reliability study after exposure to heavy ion radiation
Poling B.S.
(Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson, AFB, OH, United States)
,
Via G.D.
(Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson, AFB, OH, United States)
,
Bole K.D.
(Air Force Research Laboratory, Space Vehicles Directorate, Kirtland, AFB, NM, United States)
,
Johnson E.E.
(Air Force Research Laboratory, Space Vehicles Directorate, Kirtland, AFB, NM, United States)
,
McDermott J.M.
(Wyle, Dayton, OH, United States)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 68 ページ： 13-20 発行年： 2017年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。