文献
J-GLOBAL ID:201702284413853930
整理番号:17A1646261
ウエハボンディング技術による200mmウエハレベルグラフェン移動【Powered by NICT】
200 mm Wafer level graphene transfer by wafer bonding technique
著者 (8件):
Inac Mesut
(Berlin Technical University, HFT4, Einsteinufer 25, 10587 Berlin, Germany)
,
Lupina Grzegorz
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Wietstruck Matthias
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Lisker Marco
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Fraschke Mirko
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Mai Andreas
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Coccetti Fabio
(RF Microtech, Via Leone Maccheroni, 06132 Perugia, Italy)
,
Kaynakt Mehmet
(Sabanci University, Orta Mahalle, Universite Caddesi 27, Tuzla, 34956 Istanbul, Turkey)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ESSDERC
ページ:
216-219
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)