前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702284442557296
整理番号：17A0407666
溶液処理AlZnSnO半導体膜とインジウムボール電極を用いて作製した抵抗ランダムアクセスメモリ【Powered by NICT】
Resistive random access memories fabricated by using solution-processed AlZnSnO semiconductor films and indium ball electrodes
Hsu Chih-Chieh
(Graduate School of Engineering Science and Technology, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC)
,
Hsu Chih-Chieh
(Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC)
,
Hsu Chih-Chieh
(Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC)
,
Chen Yu-Ting
(Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC)
,
Tsao Che-Chang
(Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 696 ページ： 697-700 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。