文献
J-GLOBAL ID:201702284481306984
整理番号:17A0591879
垂直NAND型フラッシュメモリデバイスにおけるワード線干渉に対する非対称ストリング構造の影響
Effects of Asymmetric String Structure on Word-Line Interference in the Vertical NAND Flash Memory Devices
著者 (3件):
LEE Jun Gyu
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
YOO Keon-Ho
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Tae Whan
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
6
ページ:
4173-4175
発行年:
2017年06月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)