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文献
J-GLOBAL ID：201702284509601137
整理番号：17A1639071
電荷プラズマdopinglessデバイスにおける衝突イオン化とトンネル掘削作業【Powered by NICT】
Impact ionization and tunneling operations in charge-plasma dopingless device
Kim Minsuk
(Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
,
Kim Yoonjoong
(Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
,
Lim Doohyeok
(Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
,
Woo Sola
(Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
,
Im Kyeungmin
(Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
,
Cho Jinsun
(Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
,
Kang Hyungu
(Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
,
Kim Sangsig
(Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 111 ページ： 796-805 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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