文献
J-GLOBAL ID:201702284639895021
整理番号:17A1727271
pGaNゲートH EMTデバイスにおけるゲートスタック最適化のためのTCAD【Powered by NICT】
TCAD for gate stack optimization in pGaN Gate HEMT devices
著者 (8件):
Jaud M.-A.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France)
,
Baines Y.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France)
,
Charles M.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France)
,
Morvan E.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France)
,
Scheiblin P.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France)
,
Torres A.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France)
,
Plissonnier M.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France)
,
Barbe J.-C.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SISPAD
ページ:
113-116
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)