前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702284679218491
整理番号：17A0754704
CuAl合金障壁層システムによる二酸化けい素と予防における銅の拡散の物理的,化学的および電気的特性評価【Powered by NICT】
Physical, chemical and electrical characterisation of the diffusion of copper in silicon dioxide and prevention via a CuAl alloy barrier layer system
Byrne C.
(School of Physical Sciences, Dublin City University, Dublin 9, Ireland)
,
Brennan B.
(National Physical Laboratory, Hampton Road, Teddington TW11 0LW, United Kingdom)
,
Lundy R.
(Stokes Laboratories, University of Limerick, Co. Limerick, Ireland)
,
Bogan J.
(School of Physical Sciences, Dublin City University, Dublin 9, Ireland)
,
Brady A.
(School of Physical Sciences, Dublin City University, Dublin 9, Ireland)
,
Gomeniuk Y.Y.
(Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland)
,
Gomeniuk Y.Y.
(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 41, pr. Nauki, Kyiv, Ukraine)
,
Monaghan S.
(Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland)
,
Hurley P.K.
(Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland)
,
Hughes G.
(School of Physical Sciences, Dublin City University, Dublin 9, Ireland)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63 ページ： 227-236 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。