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文献
J-GLOBAL ID：201702284717576781
整理番号：17A0062055
SiC基板上の単層および二層エピタキシャルグラフェン電界効果トランジスタの比較研究【Powered by NICT】
Comparative Study of Monolayer and Bilayer Epitaxial Graphene Field-Effect Transistors on SiC Substrates
He Zezhao
(School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology)
,
Yang Kewu
(School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology)
,
Yu Cui
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Liu Qingbin
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Wang Jingjing
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Song Xubo
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Han Tingting
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Feng Zhihong
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Cai Shujun
(Hebei Semiconductor Research Institute)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 33 号： 8 ページ： 086801-1-086801-5 発行年： 2016年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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