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文献
J-GLOBAL ID：201702284741700199
整理番号：17A0702737
GaNナノワイヤの配向制御と原子スケールヘテロエピタキシャル界面の研究【Powered by NICT】
Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires
Liu Qingyun
(Shenyang National Laboratory for Materials Science (SYNL), Institute of Metal Research (IMR), Chinese Academy of Sciences (CAS), No. 72, Wenhua Road, Shenhe District, Shenyang 110016, China. baodanliu@hotmail.com xjiang@imr.ac.cn)
,
Liu Baodan
,
Yang Wenjin
,
Yang Bing
,
Zhang Xinglai
,
Labbe Christophe
,
Portier Xavier
,
An Vladimir
,
Jiang Xin
資料名：
Nanoscale
(Nanoscale)
巻： 9 号： 16 ページ： 5212-5221 発行年： 2017年
JST資料番号： W2323A ISSN： 2040-3364 CODEN： NANOHL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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