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文献
J-GLOBAL ID：201702284785076498
整理番号：17A0402530
エピタキシャル横方向被覆成長させた半極性(11 22)GaN膜の結晶構造と光学的性質に及ぼすSiO_2六角形パターンの影響【Powered by NICT】
Effect of SiO2 hexagonal pattern on the crystal and optical properties of epitaxial lateral overgrown semipolar (11-22) GaN film
Lee Jae-Hwan
(Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, 15073 Siheung, Gyeonggi-do, Republic of Korea)
,
Han Sang-Hyun
(Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, 15073 Siheung, Gyeonggi-do, Republic of Korea)
,
Song Ki-Ryong
(Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, 15073 Siheung, Gyeonggi-do, Republic of Korea)
,
Ryou Jae-Hyun
(Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204-4006, USA)
,
Na Hyunseok
(Department of Materials Science and Engineering, Daejin University, Pocheon-Si, Gyeonggi-do 11159, Republic of Korea)
,
Lee Sung-Nam
(Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, 15073 Siheung, Gyeonggi-do, Republic of Korea)
,
Lee Sung-Nam
(Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204-4006, USA)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 168 ページ： 32-36 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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