文献
J-GLOBAL ID:201702284793583791
整理番号:17A1557622
GaAs(111)B及び(111)A表面上に堆積させたGa原子の挙動【Powered by NICT】
Behavior of Ga atoms deposited on GaAs (111)B and (111)A surfaces
著者 (3件):
Kawaharazuka A.
(Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology, Waseda University, 2-8-26 Nishi-Waseda, Shinjuku, Tokyo 169-0051, Japan)
,
Horikoshi Y.
(Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology, Waseda University, 2-8-26 Nishi-Waseda, Shinjuku, Tokyo 169-0051, Japan)
,
Horikoshi Y.
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
477
ページ:
25-29
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)