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文献
J-GLOBAL ID：201702284839748329
整理番号：17A1355021
ニューラルネットワークにおけるシナプス要素のためのIn-Ga-Zn-O半導体を用いた平面装置【Powered by NICT】
Planar device using In-Ga-Zn-O semiconductor for synapse element in neural network
Yamakawa Daiki
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Koga Yuki
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Ikushima Keisuke
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Umeda Kenta
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Hori Toshimasa
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Yokoyama Tomoharu
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Watada Koki
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Tanaka Ryo
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Kimura Mutsumi
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Matsuda Tokiyoshi
(Innovative Materials and Processing Research Center, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IMFEDK ページ： 72-73 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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