文献
J-GLOBAL ID:201702284857404540
整理番号:17A0634880
薄いゲート酸化物を持つAl/SiO2/n-SiC構造における界面特性の照射による研究
Investigation of interface property in Al/SiO2/n-SiC structure with thin gate oxide by illumination
著者 (2件):
CHANG P.K.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
HWU J.G.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名:
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻:
123
号:
4
ページ:
261,1-8
発行年:
2017年04月
JST資料番号:
D0256C
ISSN:
0947-8396
CODEN:
APHYCC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)