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文献
J-GLOBAL ID：201702284902487517
整理番号：17A0374495
パターン化されたSi(001)基板上に成長させたエピタキシャルGe結晶の歪緩和【Powered by NICT】
Strain relaxation in epitaxial Ge crystals grown on patterned Si(001) substrates
Arroyo Rojas Dasilva Yadira
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland)
,
Rossell Marta D.
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland)
,
Isa Fabio
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland)
,
Isa Fabio
(Laboratory for Solid State Physics, ETH Zuerich, Otto-Stern-Weg 1, Zuerich CH-8093, Switzerland)
,
Erni Rolf
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland)
,
Isella Giovanni
(L-NESS and Department of Physics, Politecnico di Milano and IFN-CNR, Via Anzani 42, Como I-22100, Italy)
,
Kaenel Hans von
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland)
,
Kaenel Hans von
(Laboratory for Solid State Physics, ETH Zuerich, Otto-Stern-Weg 1, Zuerich CH-8093, Switzerland)
,
Groning Pierangelo
(Department of Advanced Materials and Surfaces, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129,CH-8600 Duebendorf, Switzerland)
資料名：
Scripta Materialia
(Scripta Materialia)
巻： 127 ページ： 169-172 発行年： 2017年
JST資料番号： B0915A ISSN： 1359-6462 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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