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文献
J-GLOBAL ID：201702285030244750
整理番号：17A0758088
V溝SiC電力MOSFETの回路シミュレーションモデル【Powered by NICT】
A circuit simulation model for V-groove SiC power MOSFET
Shintani Michihiro
(Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
,
Oishi Kazuki
(Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
,
Zhou Rui
(Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
,
Hiromoto Masayuki
(Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
,
Sato Takashi
(Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： WiPDA ページ： 286-290 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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