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文献
J-GLOBAL ID:201702285130733649   整理番号:17A0550015

Ba導入による4H-SiC MOS界面の改善

著者 (9件):
村岡幸輔
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
瀬崎洋
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
瀬崎洋
(フェニテックセミコンダクター)
石川誠治
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
石川誠治
(フェニテックセミコンダクター)
前田知徳
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
前田知徳
(フェニテックセミコンダクター)
吉川公麿
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
黒木伸一郎
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)

資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))

巻: 64th  ページ: ROMBUNNO.16a-P5-6  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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