文献
J-GLOBAL ID:201702285211326935
整理番号:17A0518638
エピタキシャル正孔ドープNd1-xSrxNiO3超薄膜における局在で駆動された金属-絶縁体転移
Localization-driven metal-insulator transition in epitaxial hole-doped Nd1-xSrxNiO3 ultrathin films
著者 (10件):
WANG Le
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
CHANG Lei
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
YIN Xinmao
(National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
,
YIN Xinmao
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
RUSYDI Andrivo
(National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
,
YOU Lu
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
ZHOU Yang
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
FANG Liang
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
FANG Liang
(Soochow Univ., Suzhou, CHN)
,
WANG Junling
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
資料名:
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻:
29
号:
2
ページ:
025002,1-6
発行年:
2017年01月18日
JST資料番号:
B0914B
ISSN:
0953-8984
CODEN:
JCOMEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)