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文献
J-GLOBAL ID：201702285328033549
整理番号：17A0409161
ナノスケール抵抗ランダムアクセスメモリデバイスのための組換アズリンCdSe/ZnSハイブリッド構造【Powered by NICT】
Recombinant azurin-CdSe/ZnS hybrid structures for nanoscale resistive random access memory device
Yagati Ajay Kumar
(Department of Biomedical Engineering, Sogang University, Seoul, 04107, Republic of Korea)
,
Yagati Ajay Kumar
(Department of Biomedical Engineering, Gachon University, Incheon, 21936, Republic of Korea)
,
Kim Sang-Uk
(Department of Biomedical Engineering, Sogang University, Seoul, 04107, Republic of Korea)
,
Lee Taek
(Institute of Integrated Biotechnology, Sogang University, Seoul, 06974, Republic of Korea)
,
Min Junhong
(School of Integrative Engineering, Chung-Ang University, Seoul, 06974, Republic of Korea)
,
Choi Jeong-Woo
(Department of Biomedical Engineering, Sogang University, Seoul, 04107, Republic of Korea)
,
Choi Jeong-Woo
(Department of Chemical & Biomolecular Engineering, Sogang University, Seoul, 04107, Republic of Korea)
資料名：
Biosensors & Bioelectronics
(Biosensors & Bioelectronics)
巻： 90 ページ： 23-30 発行年： 2017年
JST資料番号： D0173C ISSN： 0956-5663 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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