文献
J-GLOBAL ID:201702285431815008
整理番号:17A0222715
正バイアス温度ストレス中のn-4H-SiC MOSキャパシタのリーク電流伝導,正孔注入,および時間依存絶縁破壊
Leakage current conduction, hole injection, and time-dependent dielectric breakdown of n-4H-SiC MOS capacitors during positive bias temperature stress
著者 (2件):
Samanta Piyas
(Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA)
,
Mandal Krishna C.
(Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
121
号:
3
ページ:
034501-034501-13
発行年:
2017年01月21日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)