文献
J-GLOBAL ID:201702285605962743
整理番号:17A0522198
ICP-CVD法における荷電したシリコンナノ粒子の堆積挙動に及ぼす基板バイアスの影響
Effect of substrate bias on deposition behaviour of charged silicon nanoparticles in ICP-CVD process
著者 (7件):
YOO Seung-Wan
(Korea Res. Inst. of Standards and Sci., Daejeon, KOR)
,
YOO Seung-Wan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOU Shin-Jae
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
,
KIM Jung-Hyung
(Korea Res. Inst. of Standards and Sci., Daejeon, KOR)
,
SEONG Dae-Jin
(Korea Res. Inst. of Standards and Sci., Daejeon, KOR)
,
SEO Byong-Hoon
(California Inst. of Technol., CA, USA)
,
HWANG Nong-Moon
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
50
号:
3
ページ:
035201,1-9
発行年:
2017年01月25日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)