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文献
J-GLOBAL ID：201702285687772296
整理番号：17A0444964
添加した(TSV)Si貫通ビアの銅電着の数値モデル化と実験的検証【Powered by NICT】
Numerical modeling and experimental verification of copper electrodeposition for through silicon via (TSV) with additives
Xiao Hongbin
(State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China)
,
Xiao Hongbin
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China)
,
He Hu
(State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China)
,
He Hu
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China)
,
Ren Xinyu
(State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China)
,
Ren Xinyu
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China)
,
Zeng Peng
(State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China)
,
Zeng Peng
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China)
,
Wang Fuliang
(State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China)
,
Wang Fuliang
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 170 ページ： 54-58 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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