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J-GLOBAL ID:201702285693257500   整理番号:17A1640774

高電流密度ストレス下のp-GaAsへのTi/Pt/Auオーミックコンタクトのエレクトロマイグレーション劣化機構の研究【Powered by NICT】

Investigation of Electromigration Degradation Mechanism in Ti/Pt/Au Ohmic Contacts to p-GaAs Under High Current Density Stress
著者 (12件):
Qiao Yanbin
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Zhao Dongyan
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Chen Yanning
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Shao Jin
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Zhang Haifeng
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Tang Xiaoke
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Yuan Yidong
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Li Jianqiang
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Zhao Yang
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Ma Qiang
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
Guo Chunsheng
(College of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing, China)
Zhang Yamin
(State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)

資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻: 64  号: 11  ページ: 4581-4586  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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