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文献
J-GLOBAL ID：201702285701055881
整理番号：17A1359859
ハイブリッド強誘電電荷トラップゲートスタックを用いた高I_D,maxによる高V_thエンハンスメントモードGaNパワーデバイス【Powered by NICT】
High Vth enhancement mode GaN power devices with high ID, max using hybrid ferroelectric charge trap gate stack
Wu C. H.
(Department of Material Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Liu S. C.
(Department of Material Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Huang C. K.
(Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chiu Y. C.
(Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Han P. C.
(Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
,
Chang P. C.
(Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Lumbantoruan F.
(Department of Material Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Lin C. A.
(Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Lin Y. K.
(Department of Material Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chang C. Y.
(Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Hu Chenming
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, USA)
,
Iwai Hiroshi
(Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
,
Chang Edward Yi
(Department of Material Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： VLSI Technology ページ： T60-T61 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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