文献
J-GLOBAL ID:201702285807245047
整理番号:17A0664950
強化されたエネルギー密度と効率的な静電エネルギー貯蔵を備えた高k HfO_2薄膜のA LD調製【Powered by NICT】
ALD preparation of high-k HfO2 thin films with enhanced energy density and efficient electrostatic energy storage
著者 (12件):
Zhang Le
(Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China. mingliu@xjtu.edu.cn)
,
Liu Ming
,
Ren Wei
,
Zhou Ziyao
,
Dong Guohua
,
Zhang Yijun
,
Peng Bin
,
Hao Xihong
,
Wang Chenying
,
Jiang Zhuang-De
,
Jing Weixuan
,
Ye Zuo-Guang
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
14
ページ:
8388-8393
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)