文献
J-GLOBAL ID:201702285901201334
整理番号:17A0352501
DFT+U法で計算したOドープSiGeの電子構造【Powered by NICT】
Electronic structure of O-doped SiGe calculated by DFT+U method
著者 (3件):
Zhao Zongyan
(Faculty of Materials Science and Engineering, Kunming University of Science and Technology)
,
Yang Wen
(Yunnan Normal University)
,
Yang Peizhi
(Yunnan Normal University)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
25
号:
12
ページ:
127101-1-127101-13
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)