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J-GLOBAL ID:201702285901201334   整理番号:17A0352501

DFT+U法で計算したOドープSiGeの電子構造【Powered by NICT】

Electronic structure of O-doped SiGe calculated by DFT+U method
著者 (3件):
Zhao Zongyan
(Faculty of Materials Science and Engineering, Kunming University of Science and Technology)
Yang Wen
(Yunnan Normal University)
Yang Peizhi
(Yunnan Normal University)

資料名:
Chinese Physics B  (Chinese Physics B)

巻: 25  号: 12  ページ: 127101-1-127101-13  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1539A  ISSN: 1674-1056  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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