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文献
J-GLOBAL ID：201702285928249216
整理番号：17A0443373
交差指形Ptフィンガー電極を用いた低周波雑音とGe 金属-semiconductor-金属光検出器の光電子的性質に及ぼす指寸法の影響【Powered by NICT】
Effects of finger dimension on low-frequency noise and optoelectronic properties of Ge metal-semiconductor-metal photodetectors with interdigitated Pt finger electrodes
Zumuukhorol Munkhsaikhan
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea.)
,
Khurelbaatar Zagarzusem
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea.)
,
Khurelbaatar Zagarzusem
(School of Information and Communication Technology, Mongolian University of Science and Technology, Ulaanbaatar 51-29, Mongolia.)
,
Yuk Shim-Hoon
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea.)
,
Won Jonghan
(Advanced Nano Surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon 305-806, Republic of Korea)
,
Lee Sung-Nam
(Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, Siheung 429-793, Republic of Korea)
,
Choi Chel-Jong
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea.)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 69 ページ： 60-65 発行年： 2017年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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