文献
J-GLOBAL ID:201702286032717511
整理番号:17A0323181
ノーマリオフAlN/GaN MOSHEMTへの酸化物界面電荷工学【Powered by NICT】
Oxide interfacial charge engineering towards normally-off AlN/GaN MOSHEMT
著者 (3件):
Swain R.
(Department of Electronics & Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar 788010, India)
,
Jena K.
(Department of Electronics & Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar 788010, India)
,
Lenka T.R.
(Department of Electronics & Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar 788010, India)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
53
ページ:
66-71
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)