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文献
J-GLOBAL ID：201702286044325707
整理番号：17A0492840
硫化温度の影響を受ける二硫化モリブデン(MoS2)のナノ構造変化と電気的特性との相関
Correlation of nanostructure changes with the electrical properties of molybdenum disulfide (MoS2) as affected by sulfurization temperature
Oh Tae-Kyung
(Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Si Semiconductor Institute, Korea Institute Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil, 5, Seoul 02792, South Korea)
,
Ju Hyunsu
(Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Si Semiconductor Institute, Korea Institute Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil, 5, Seoul 02792, South Korea)
,
Jeon Hyeongtag
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222, Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 04763, South Korea)
,
Lee Jeon-Kook
(Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Si Semiconductor Institute, Korea Institute Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil, 5, Seoul 02792, South Korea)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 109 号： 24 ページ： 242104-242104-4 発行年： 2016年12月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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