文献
J-GLOBAL ID:201702286065133278
整理番号:17A1774533
順方向バイアス条件下でのSi MOSFETの電気熱的挙動に及ぼす多孔とドレインメタライゼーション厚さの影響の評価【Powered by NICT】
Evaluation of multi-void and drain metallization thickness effects on the electro thermal behavior of Si MOSFET under forward bias conditions
著者 (3件):
Tran S. H.
(IFSTTAR INSTITUTE, 25 alle ́e des Marronniers, 78000 Versailles, France)
,
Dupont L.
(IFSTTAR INSTITUTE, 25 alle ́e des Marronniers, 78000 Versailles, France)
,
Khatir Z.
(IFSTTAR INSTITUTE, 25 alle ́e des Marronniers, 78000 Versailles, France)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EPE’17 ECCE Europe
ページ:
P.1-P.10
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)