前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702286071423863
整理番号：17A1346107
アドレス可能なセルアレイテスト構造を用いた静的ランダムアクセスメモリ出力上昇状態の測定【Powered by NICT】
Measurement of Static Random Access Memory Power-Up State Using an Addressable Cell Array Test Structure
Takeuchi Kiyoshi
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Mizutani Tomoko
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Shinohara Hirofumi
(Graduate School of Information, Production and Systems, Waseda University, Fukuoka, Japan)
,
Saraya Takuya
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Kobayashi Masaharu
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Hiramoto Toshiro
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 30 号： 3 ページ： 209-215 発行年： 2017年
JST資料番号： T0521A ISSN： 0894-6507 CODEN： ITSMED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。