文献
J-GLOBAL ID:201702286177682437
整理番号:17A1350214
band-to-bandトンネルは黒りんMOSFETにおける両極性電流を制限【Powered by NICT】
Band-to-band tunneling limited ambipolar current in black phosphorus MOSFETs
著者 (3件):
Robbins Matthew C.
(ECE Department, University of Minnesota-Twin Cities, 200 Union St. SE, Minneapolis, MN 55455)
,
Haratipour Nazila
(ECE Department, University of Minnesota-Twin Cities, 200 Union St. SE, Minneapolis, MN 55455)
,
Koester Steven J.
(ECE Department, University of Minnesota-Twin Cities, 200 Union St. SE, Minneapolis, MN 55455)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)