文献
J-GLOBAL ID:201702286196630626
整理番号:17A0591745
高濃度リンドープエピタキシャルシリコン薄膜におけるリンの電気的活性化
Electrical Activation of Phosphorus in Highly P-Doped Epitaxial Silicon Thin Films
著者 (6件):
LEE Minhyeong
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Sun-Wook
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KO Eunjung
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
JANG Hyunchul
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KOO Sangmo
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KO Dae-Hong
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
5
ページ:
3365-3369
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)