前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702286205901789
整理番号：17A0124425
記憶窓のスケーリング依存性とSiナノ結晶不揮発性メモリ素子における異なるキャリア帯電挙動【Powered by NICT】
Scaling dependence of memory windows and different carrier charging behaviors in Si nanocrystal nonvolatile memory devices
Yu Jie
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Chen Kunji
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Ma Zhongyuan
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Zhang Xinxin
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Jiang Xiaofan
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Wu Yangqing
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Huang Xinfan
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Oda Shunri
(Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 25 号： 9 ページ： 097304-1-097304-5 発行年： 2016年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。