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J-GLOBAL ID：201702286304970393 整理番号：17A1359836

IoTノーマリオフCPU応用のための超低漏れのある結晶In-Ga-Zn-O材料とトランジスタの性能を向上【Powered by NICT】

Performance boost of crystalline In-Ga-Zn-O material and transistor with extremely low leakage for IoT normally-off CPU application

著者 (12件)：

Wu Shao Hui

(United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore)

,

Jia X Y

(United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore)

,

Li Xiang

(United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore)

,

Shuai Chi Chang

(United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore)

,

Lin Hung Chan

(United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore)

,

Lu Ming Chang

(United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore)

,

Wu Tzung Han

(United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore)

,

Liu Mu Yi

(United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore)

,

Wu J Y

(United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore)

,

Matsubayashi Daisuke

(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)

,

Kato Kiyoshi

(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)

,

Yamazaki Shunpei

(Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2017 号： VLSI Circuits ページ： T166-T167 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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