文献
J-GLOBAL ID:201702286412275896
整理番号:17A1350238
ポテンシャル赤外応用のための単結晶薄膜In_0In0.53Ga_0Ga0.47As Schottkyダイオードの新しい作製法と構造【Powered by NICT】
Novel fabrication method and structure of single crystal thin film In0.53Ga0.47As Schottky diodes for potential IR applications
著者 (2件):
Hussin Rozana
(Dept. of Electrical & Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh PA 15213)
,
Luo Yi
(Dept. of Electrical & Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh PA 15213)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)