文献
J-GLOBAL ID:201702286417807838
整理番号:17A1727292
高感度水素ガスセンサとしてのパラジウム触媒金属ゲートを持つPNIN GAAトンネルFET【Powered by NICT】
PNIN-GAA-tunnel FET with palladium catalytic metal gate as a highly sensitive hydrogen gas sensor
著者 (3件):
Madan Jaya
(Microelectronics Research Lab, Department of Engineering Physics, Delhi Technological University, Bawana Road, Delhi-110042, India)
,
Shekhar Skanda
(Microelectronics Research Lab, Department of Engineering Physics, Delhi Technological University, Bawana Road, Delhi-110042, India)
,
Chaujar Rishu
(Microelectronics Research Lab, Department of Engineering Physics, Delhi Technological University, Bawana Road, Delhi-110042, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SISPAD
ページ:
197-200
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)