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文献
J-GLOBAL ID：201702286422568079
整理番号：17A0085348
プレコンタクト・アモルファス化注入処理によるSi:P上のケイ化チタン:1×10-9Ω・cm2に近付く接触抵抗
Titanium Silicide on Si:P With Precontact Amorphization Implantation Treatment: Contact Resistivity Approaching $1 ¥times 10^{-9}$ Ohm-cm2
Yu Hao
(Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit, Leuven, Belgium)
,
Schaekers Marc
(imec, Leuven, Belgium)
,
Peter Anthony
(imec, Leuven, Belgium)
,
Pourtois Geoffrey
(imec, Leuven, Belgium)
,
Rosseel Erik
(imec, Leuven, Belgium)
,
Lee Joon-Gon
(Samsung, Seoul, South Korea)
,
Song Woo-Bin
(Samsung, Seoul, South Korea)
,
Shin Keo Myoung
(Samsung, Seoul, South Korea)
,
Everaert Jean-Luc
(imec, Leuven, Belgium)
,
Chew Soon Aik
(imec, Leuven, Belgium)
,
Demuynck Steven
(imec, Leuven, Belgium)
,
Kim Daeyong
(Samsung, Seoul, South Korea)
,
Barla Kathy
(imec, Leuven, Belgium)
,
Mocuta Anda
(imec, Leuven, Belgium)
,
Horiguchi Naoto
(imec, Leuven, Belgium)
,
Thean Aaron Voon-Yew
(imec, Leuven, Belgium)
,
Collaert Nadine
(imec, Leuven, Belgium)
,
De Meyer Kristin
(Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit, Leuven, Belgium)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 12 ページ： 4632-4641 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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