文献
J-GLOBAL ID:201702286465368884
整理番号:17A1774182
高不飽和電流を持つIGBTを用いたの利点【Powered by NICT】
The benefit of using an IGBT with a high desaturation current
著者 (2件):
Hain Stefan
(University of Bayreuth, Department of Mechatronics, Center of Energy Technology, Universitaetsstras&e 30, Bayreuth, Deutschland)
,
Bakran Mark-M.
(University of Bayreuth, Department of Mechatronics, Center of Energy Technology, Universitaetsstras&e 30, Bayreuth, Deutschland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EPE’17 ECCE Europe
ページ:
P.1-P.7
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)