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文献
J-GLOBAL ID:201702286565558131   整理番号:17A1708006

シンクロトロンベースのX線光電子分光法により特性評価したCH_3NH_3PbI_3上の室温原子層堆積したAl_2O_3【Powered by NICT】

Room temperature atomic layer deposited Al2O3 on CH3NH3PbI3 characterized by synchrotron-based X-ray photoelectron spectroscopy
著者 (6件):
Kot Malgorzata
(Brandenburg University of Technology Cottbus-Senftenberg, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)
Das Chittaranjan
(Brandenburg University of Technology Cottbus-Senftenberg, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)
Henkel Karsten
(Brandenburg University of Technology Cottbus-Senftenberg, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)
Wojciechowski Konrad
(Clarendon Laboratory, University of Oxford, Parks Road, Oxford OX13PU, United Kingdom)
Snaith Henry J.
(Clarendon Laboratory, University of Oxford, Parks Road, Oxford OX13PU, United Kingdom)
Schmeisser Dieter
(Brandenburg University of Technology Cottbus-Senftenberg, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)

資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)

巻: 411  ページ: 49-52  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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